[发明专利]一种MEMS薄膜半导体气敏传感器阵列识别方法在审
申请号: | 202011401931.4 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN112557459A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 余岑;李如意;李东风;黄志华;刘红恩 | 申请(专利权)人: | 安徽芯核防务装备技术股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;G01N33/00;G16C20/20;G16C20/70;G06K9/62 |
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地址: | 231400 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明公开了一种MEMS薄膜半导体气敏传感器阵列识别方法,包括,已知物质建模:使用传感器阵列对第一类已知物质进行采样,在所述第一类已知物质的挥发气体浓度逐步上升的过程中时刻,得到n个时刻的电导率变化向量集合;对所述电导率变化向量集合进行标准化得到标准化电导率变化向量集合,对所述标准化电导率变化向量集合进行主元分析,获取第一主成分向量;对所述k类已知物质第一主成分向量进行线性判别式分析,计算得到特征变换矩阵,获得样本类,存入特征数据库中;未知物质检测:重复上述步骤,得到投影到特征空间的一个点t |
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搜索关键词: | 一种 mems 薄膜 半导体 传感器 阵列 识别 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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