[发明专利]一种太阳能硅片清洗方法、硅片、电池、组件及清洗系统在审
| 申请号： | 202011399155.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112420494A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李建弘;危晨;刘涛;赵越;唐昊 | 申请（专利权）人： | 天津市环智新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300450 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能硅片清洗方法，对硅片进行药液清洗和氧化清洗之前，对硅片依次进行低温氧化清洗和氧化去除，其中，在进行低温氧化清洗时，采用低温氧化溶液对硅片进行清洗，在硅片表面形成氧化层；在进行氧化去除时，采用酸溶液对硅片进行清洗，去除硅片表面氧化层。本发明的有益效果是在低温环境下对硅片进行清洗，降低金属离子在硅片中的扩散速度，减少硅片金属离子含量，提高硅片少数载流子寿命，提高硅片性能，提升太阳能电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 硅片 清洗 方法 电池 组件 系统 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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