[发明专利]一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器有效
| 申请号： | 202011398508.3 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112684259B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 黄杰;向宇涵 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R33/12 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器，包含谐振腔和共面波导馈电线。谐振腔由四块介质基板纵向叠加组成，每块介质基板均设多个金属化通孔形成谐振腔的金属边界。第二与第三介质基板中间的金属层均刻蚀有一长条凹槽。所有介质基板各刻蚀一个非金属通孔贯通作为介电常数传感区域，第三和第四介质基板的介质层各刻蚀一长条凹槽为磁导率传感区域。粉末样品装载于聚四氟乙烯管中分别放入两个传感区域进行测量。本发明将折叠技术应用于衬底集成波导重入式谐振腔，缩减了尺寸，并通过弱耦合馈电提高谐振腔的品质因数，同时在谐振腔强磁场区引入复磁导率传感区域，获得一种结构紧凑、易于加工与集成的全面表征磁性粉末磁介电特性的多功能传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 测量 介质 材料 介电常数 磁导率 重入式腔体 传感器 | ||
【主权项】：
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