[发明专利]用于离子阱的装置、系统和方法在审
| 申请号： | 202011394426.1 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112992628A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·马科廷;大卫·海耶斯;拉塞尔·斯图茨;帕特丽夏·李;约翰·盖布勒;克里斯托弗·兰格 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01J3/38 | 分类号： | H01J3/38;G06N10/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;吕传奇 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为用于离子阱的装置、系统和方法。本发明提供了一个离子阱装置。该离子阱装置包括形成有基本上平行的纵向轴线和有基本上共面的上表面的两个或更多个射频(RF)导轨；以及捕获和/或传输(TT)电极的两个或更多个序列，其中每个序列形成为基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线延伸。该两个或更多个RF导轨和TT电极的该两个或更多个序列限定离子阱。TT电极的该两个或更多个序列被布置成多个区。每个区包括该TT电极的宽匹配组和该TT电极的至少一个窄匹配组。宽TT电极在基本上平行于该RF导轨的该基本上平行的纵向轴线的方向上比窄TT电极更长和/或更宽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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