[发明专利]一种倒装结构蓝光Mico-LED芯片设计制造方法在审

专利信息
申请号: 202011392364.0 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112510130A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 周圣军;陶国裔;万辉 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 彭艳君
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于半导体发光器领域,特别涉及一种倒装结构蓝光Mico‑LED芯片的设计制造方法,该方法采用重掺杂的p++ GaN和n++ GaN形成的隧穿结限制电流路径,降低了接触电阻,提高了Si施主和Mg受主浓度,电子的空穴的辐射复合率提高,内量子效率、取光效率从而得到提高。采用倒装结构Micro‑LED,并利用ITO/DBR分别作为透明导电层和电流阻挡层,有源区发射光子经DBR反射后,从蓝宝石衬底出射到空气中,提高了取光效率。同时还满足了Micro‑LED显示体积小,易制成微型化的需求。Micro‑LED芯片设计为倒装结构,提高了芯片的光电性能、热稳定性能。
搜索关键词: 一种 倒装 结构 mico led 芯片 设计 制造 方法
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