[发明专利]一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法

摘要

本发明公开了一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法，包括以下步骤：S1：构建基于光吸收层、收集层、阻挡层单行载流子光电探测器；S2：分别构建光吸收层和收集层之间的异质结、阻挡层和光吸收层之间的异质结，给单行载流子光电探测器施加反向偏置电压；S3：根据反向偏置电压的分压结果，增加阻挡层的掺杂浓度提高单行载流子光电探测器饱和电流输出值。本发明通过对光电探测器阻挡层优化，改变阻挡层材料的掺杂浓度，提高了光电探测器饱和输出电流。