[发明专利]接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法有效
| 申请号： | 202011387239.0 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112635344B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 宁威;李磊 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法包括如下步骤：步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测设备扫描形成的接触孔的图像亮度具有相关性的特点，预先形成被检测产品对应的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和对应的接触孔的图像亮度的拟合曲线。步骤二、采用电子束检测设备对被检测产品进行扫描并得到被检测产品上和多晶硅图形相套刻的接触孔的图像亮度。步骤三、结合拟合曲线将被检测产品对应的接触孔的图像亮度转换为被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差。本发明能在线快速且全面检测出接触孔和多晶硅图形的套刻偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 多晶 图形 偏差 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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