[发明专利]半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 202011385858.6 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN113013103A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 朱鹏维;王菘豊;时定康;奧野泰利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处公开具有双重硅化物接点结构的半导体装置结构与其制作方法。制作半导体装置的方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；分别形成第一外延区与第二外延区于第一鳍状结构与第二鳍状结构上；分别形成第一接点开口与第二接点开口于第一外延区与第二外延区上；选择性形成氧化物盖层于第二外延区的露出表面上；选择性形成第一金属硅化物层于第一外延区的露出表面上；移除该氧化物盖层；以及分别形成第一导电区与第二导电区于金属硅化物层上与第二外延区的露出表面上。第一金属硅化物层包括第一金属。第一导电区与第二导电区包括第二金属，且第一金属与第二金属不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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