[发明专利]一种高质量BIBO晶体生长方法有效
| 申请号： | 202011383804.6 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112410868B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;陈伟;张星;陈秋华 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/22;G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种高质量BIBO晶体生长方法，采用氧化铋和硼酸为原料，采用异形坩埚为生长装置，所述坩埚采用铂金材质，坩埚呈倒圆锥形；籽晶杆采用铂金材质，籽晶浸没熔体中，位于熔体中部；所述坩埚置于炉膛中部，所述炉膛坩埚位置的温度变化范围在1℃以内。本发明采用倒圆锥形的异形坩埚，优选内侧面具有小锯齿，坩埚斜面与竖直方向的夹角为30~45°，满足了BIBO晶体往下生长的需求，并且加强熔体的对流，提高了均匀性；有效降低外界温度波动对晶体生长的影响，保证晶体生长部位熔体的均匀性，充分搅拌熔体，以获得最佳晶体质量的BIBO晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 bibo 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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