[发明专利]基于MOSFET实现负压关断的驱动电路及控制方法有效
| 申请号： | 202011381495.9 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112422115B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 金涛;肖晓森;张钟艺;李泽文 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 陈明鑫;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于MOSFET实现负压关断的驱动电路，包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、MOSFET管、稳压管、二极管和双向稳压管；本发明具有较好的动态性能，具有一定的保护能力且能够实现负压关断，减小关断时间和关断损耗且保证开关管的安全工作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mosfet 实现 负压关断 驱动 电路 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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