[发明专利]半导体封装方法和半导体封装结构在审
| 申请号： | 202011378148.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114582735A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王鑫璐 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 王茹 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体封装方法和半导体封装结构。其中，半导体封装方法包括以下步骤：在半导体晶圆的第一表面形成第一保护层；减薄半导体晶圆；在半导体晶圆的第二表面形成第二保护层；切割半导体晶圆。第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值小于等于6。半导体封装结构由半导体封装方法制作而成。在上述设置中，限制第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值，使得第一保护层和第二保护层在同一温度环境下所产生的形变量相近，从而使得半导体封装结构的第一表面和第二表面受到的作用力尽可能达到均衡，减少或者避免半导体晶圆由于受力不均衡而出现曲翘，保证半导体封装结构在进行冷热冲击等信赖性试验时结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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