[发明专利]碳包覆锡纳米线阵列负极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011378117.5 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114583118A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 金周;黄学杰;闫勇;胡保安;王丕涛 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/134;H01M10/0525;C01B32/05 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 陈培琼 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳包覆锡纳米线阵列负极材料及其制备方法和应用，本发明碳包覆锡纳米线阵列负极材料包括导电碳包覆层以及被该导电碳包覆层原位包覆的线状纳米锡或锡合金阵列。线状纳米锡或锡合金阵列具有一定的长度，具有很好的柔软性和弹性，而且线状纳米锡之间存在一定的体积变化的缓冲空间，并且线状材料之间是一种三维网状结构，大大增加接触面积，同时导电碳包覆层是导电层，能有效提升传导电子的速度，而且能保证线状纳米锡在脱嵌锂过程中不断裂，改善锡的体积效应和锡表面不稳定SEI的问题，从而大幅度提升锡负极材料电化学性能；本发明制备方法操作简单，对工艺设备和环境条件要求较低，安全性好，易于大规模生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 碳包覆锡 纳米 阵列 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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