[发明专利]一种双温区独立控制的碳化硅单晶生长装置和生长方法在审
| 申请号： | 202011373845.7 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112663134A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 魏汝省;周立平;李斌;王英民;侯晓蕊;范云;张继光;靳霄曦;樊晓 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双温区独立控制的碳化硅单晶生长装置和生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明提供的碳化硅单晶生长装置，本发明采用上、下两个感应加热线圈，两个线圈分别连接第一电源和第二电源独立加热，分别连接第一线圈移动电机和第二线圈移动电机可以独立上下移动，利用上感应加热线圈和下感应加热线圈可以分别独立控制碳化硅籽晶处的温度场及碳化硅粉料处的温度场，保证生长过程中以及不同炉次之间温度及温度梯度的稳定性，提高SiC单晶生长的稳定性及重复性，解决了传统单感应线圈加热SiC单晶生长设备不能同时控制上下温度造成的温度梯度无法控制，晶体生长过程不能重复的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双温区 独立 控制 碳化硅 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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