[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011373470.4 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112466954B | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 赵亮亮;张文杰;邵克坚;王猛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底，衬底包括源区和漏区，源区和漏区之间包括沟道区，沟道区上设置有光学栅极，光学栅极包括透明电极层以及透明电极层上方的发光二极管，发光二极管用于产生激发光使沟道区的衬底材料电离形成光生载流子，透明电极层用于在栅极电压作用下驱动载流子在所述沟道区形成反型载流子，因此沟道区的载流子一部分由激发光使衬底电离得到，另一部分在栅极电压的驱动作用下得到，将传统的栅极控制方法由电场转换为光场和电场共同控制，降低了衬底中的缺陷和杂质对导电沟道的形成的影响，使导电沟道的形成更加容易，降低了器件损耗，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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