[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011371841.5 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113192887A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张旭凯;林耕竹;王菘豊;梁顺鑫;朱家宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例描述了一种用于形成无衬垫或无阻挡件的导电结构的方法。该方法包括在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上沉积电介质，蚀刻电介质和蚀刻停止层以形成暴露钴接触件的顶面的开口，以及蚀刻钴接触件的暴露的顶面在钴接触件中形成在蚀刻停止层下方横向延伸的凹槽。该方法还包括沉积钌金属以基本填充凹槽和开口，以及使钌金属退火以在钌金属和电介质之间形成氧化物层。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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