[发明专利]一种基于永磁激励的抗冲击缓冲器在审

专利信息
申请号: 202011371836.4 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN112460181A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 居本祥 申请(专利权)人: 重庆理工大学
主分类号: F16F9/18 分类号: F16F9/18;F16F9/32;F16F9/53
代理公司: 重庆志合专利事务所(普通合伙) 50210 代理人: 徐传智
地址: 400054 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 一种基于永磁激励的抗冲击缓冲器,包括外缸、工作内缸、外缸盖,外缸内腔中部设置第一隔板将外缸的内腔分为上腔和下腔,工作内缸固定在上腔中,工作内缸的外壁从上到下依次固定多个永磁环,各个永磁环之间互相紧贴,一活塞杆从外缸盖插入穿过工作内缸延伸至下腔中,活塞杆上沿轴向排列固定设置多个高导磁活塞,各个高导磁活塞之间留有相同的间距,高导磁活塞位于工作内缸内,高导磁活塞与工作内缸内壁之间留有阻尼通道间隙,一回流管将工作内缸的上部与下部连通,工作内缸的内空与回流管填充满磁流变胶泥,活塞杆延伸至下腔中的端头固定连接一浮动活塞,下腔的腔底与浮动活塞之间设置一回位弹簧,下腔的腔底设有一通气孔。
搜索关键词: 一种 基于 永磁 激励 冲击 缓冲器
【主权项】:
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