[发明专利]非晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种非晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法，所述非晶态二硫化钼柔性压力传感器，包括：柔性基底，所述柔性基底上设置有电极和若干非晶态二硫化钼薄膜；所述电极与所述非晶态二硫化钼薄膜接触；其中，所述若干非晶态二硫化钼薄膜构成压力敏感元件。本发明的制备方法工艺简单，操作易控、MoS2薄膜沉积速率高、成膜致密均匀，易于大批生产；制备的MoS2薄膜受压后阻值变化显著，且随压力的改变呈现出规律性变化，输出性能优异，基于该压阻薄膜制备的柔性压力传感器具有宽量程、超灵敏、柔软易变形以及适用于多尺度测量等优势。