[发明专利]一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 202011365818.5 | 申请日： | 2020-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112441574B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;李鑫;张峰;侯鹏翔;张莉莉;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B32/159 | 分类号： | C01B32/159;C01B32/162 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法。以尖晶石为基底，采用嵌段共聚物自组装方法制备尺寸均一的金属氧化物纳米团簇；利用尖晶石基底对催化剂纳米颗粒的固溶和钉扎作用调控其尺寸、结构和高温稳定性，结合尖晶石基底对不同导电属性单壁碳纳米管的生长速率的影响，实现选择性生长金属性单壁碳纳米管。所制备金属性单壁碳纳米管的直径为1.1±0.2nm、含量为75～85％。本发明通过基底设计和选择，实现了窄直径分布金属性单壁碳纳米管的直接可控生长，为推动金属性单壁碳纳米管的应用奠定了材料基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 基底 设计 可控 生长 金属性 单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
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