[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011363610.X | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112331748A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘园旭 | 申请（专利权）人： | 安徽中医药大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 230038 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明提供一种发光二极管的外延结构的制备方法，包括，提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型AlGaN导电层，在所述N型AlGaN导电层上生长SiN |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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