[发明专利]一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器有效
| 申请号： | 202011363540.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112688665B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 谢媛媛;吴洪江;赵子润;方园;陈月盈;李富强;刘会东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元、0.5dB衰减单元和4dB衰减单元，0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元均为T型拓扑结构，4dB衰减单元为π型拓扑结构，16dB衰减单元为开关型拓扑结构，8dB衰减单元为优化π型拓扑结构。本发明通过将六个衰减单元级联构成方便使用的宽带数字衰减器，使得衰减器的衰减精度提高、插损减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan hemt 器件 宽带 数字 衰减器 | ||
【主权项】：
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