[发明专利]一种半导体晶片的保护环构件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011354777.X | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420621A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 沈旭;王宏晨;冯仁国 | 申请（专利权）人： | 苏州矽锡谷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 宫建华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶片的保护环构件及其形成方法，该方法包括以下步骤：在半导体晶片上设置多个保护环区域，接着在每个所述保护环区域中形成第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，接着在所述第一沟槽中形成第一树脂层；接着在所述第二沟槽中形成层状纳米材料膜/树脂膜层叠结构，接着在所述第三沟槽中形成纳米颗粒薄膜/树脂薄膜层叠结构，接着在所述半导体晶片上沉积介质层，接着在所述介质层中形成第四沟槽、第五沟槽以及第六沟槽，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料以形成第一金属层，在所述第五沟槽中沉积金属材料以形成第二金属层，在所述第六沟槽中沉积金属材料以形成第三金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 保护环 构件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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