[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。提供小面积且具有充分的电容的非易失性存储器。构成非易失性存储器的半导体装置具有：第一导电型的半导体部；第二导电型的第一阱，其与第一导电型相反极性，形成为从半导体部的1个面内的第一区域朝向内部延伸；第二导电型的第二阱，其形成为从第一区域分离而从半导体部的1个面内的第二区域朝向内部延伸；绝缘膜，其形成在1个面上；以及导电层，其形成为跨越绝缘膜上的第一阱的上方的区域和第二阱的上方的区域而延伸，在第一阱形成有从1个面向第一阱内伸长的沟槽，绝缘膜在沟槽的内部的表面上延伸，在沟槽的内部的绝缘膜上设置有与导电层连续地形成的导电部。