[发明专利]一种适用于测试DDR3物理层电气功能的测试芯片有效
| 申请号： | 202011349788.9 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466381B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 史柱;赵雁鹏;李立;张斌;杨博;刘文平 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/12;G11C29/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于测试DDR3物理层电气功能的测试芯片，属于电子测试技术领域。本发明的适用于测试DDR3物理层电气功能的测试芯片，将JTAG接口作为指令的发送端口，测试数据由电路自行产生，从而将指令与数据的通路分隔开来，成功地避免了低速接口的带宽限制问题，使得DDR能够在全速工作下运行；同时还保留了低速接口的调试功能，实现低速与高速之间的切换。本发明通过将数据和待测模块集成的方式，方便观察测试结果，同时使得测试系统微型化，操作简单易行，具有很好的应用前景。本发明克服了现有的DDR测试方法不能测试DDR在全速运行下功能是否正常的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 测试 ddr3 物理层 电气 功能 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所，未经西安微电子技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011349788.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
