[发明专利]一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构在审
| 申请号： | 202011349209.0 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466937A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓静;曾传滨;高林春;闫薇薇;倪涛;单梁;王玉娟;李多力;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构。包括：叠放设置的多晶硅、N型阱区、P型阱区、硅膜层、埋氧层和硅衬底层；硅膜层中沿左右方向相邻设置有N型阱区和P型阱区；N型阱区的顶部和P型阱区的顶部均接触多晶硅的底部；N型阱区的上部从左到右依次设置有第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和超浅沟槽隔离区；P型阱区的上部从左到右依次设置有第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。本发明在N型阱区上方设置了超浅沟槽隔离区，利用超浅沟槽隔离区的绝缘能力，增加了SCR中正极到负极路径上的等效电阻，实现提高SCR的维持电压的目的，并且有效降低了SCR的漏电风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 维持 电压 可调 soi 工艺 可控硅 静电 放电 保护 结构 | ||
【主权项】：
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