[发明专利]一种嵌入SCR结构的分布式ESD器件有效
| 申请号： | 202011348372.5 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420691B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 孙康明 | 申请（专利权）人： | 重庆广播电视大学重庆工商职业学院 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 蒙捷 |
| 地址： | 400052 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，具体涉及一种嵌入SCR结构的分布式ESD器件，包括衬底，所述衬底包括深N阱区和所述深N阱区上设置的级联二极管单元，所述级联二极管单元包括相邻设置的第三N阱区和P阱区,所述第三N阱区内设有第三P+注入区，所述第三P+注入区内隔离设置有第三N+注入区；所述P阱区内设有第四N+注入区，所述第四N+注入区内隔离设置有第四P+注入区；所述第三P+注入区与阳极相连，所述第三N+注入区与第四P+注入区相连，所述第四N+注入区与阴极相连。本发明解决了现有的具有级联二极管结构的ESD器件对电流处理能力低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入 scr 结构 分布式 esd 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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