[发明专利]一种高速DFB激光器芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202011347123.4 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112436381B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李紫谦;张恩;黄鹤;许海明 | 申请（专利权）人： | 湖北光安伦芯片有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 代婵 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高速DFB激光器芯片及其制作方法，其包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、下限制层、量子阱、上限制层、第一过渡层、腐蚀停止层、第二过渡层、光栅层、P‑InP包层，经过光栅制作后，再二次外延生长P‑InP波导层、欧姆接触层，随后完成脊波导制作、脊条上注电窗口接触条制作，在接触条上制作条形电极，脊波导两侧制作BCB图形，凹槽内的BCB厚度经过刻蚀后与脊波导高度一致，在BCB图形上制作圆形电极，连接条形电极。本发明不仅有效降低激光器各种寄生电容，满足高速调制应用，能降低现有BCB刻蚀工艺过程中对脊波导的离子轰击损伤，以及芯片后期封装过程中对脊波导的压损风险，提高封装成品率，同时避免腔面光子热量聚集造成腔面损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 dfb 激光器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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