[发明专利]一种混合集成谐振腔激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011346900.3 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112152081B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 朱尧;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 郭晓迪 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合集成谐振腔激光器及其制备方法，其中，激光器包括SOI衬底、以及位于SOI衬底上的有源区和无源区，有源区包括多量子阱区，多量子阱区与位于其左右两侧的P型InP和N型InP构成侧向P‑I‑N结构；无源区包括波导、波导光栅和锥形耦合器，多量子阱区的两端分别设有一锥形耦合器，其中，一锥形耦合器与所述波导连接，另一锥形耦合器与波导光栅连接。本发明通过将多量子阱区与位于其左右两侧的P型InP和N型InP构成侧向P‑I‑N结构，一方面降低了多量子阱区厚度，有利于多量子阱区与波导之间实现折射率匹配，提高光场在两种波导之间的耦合效率；另一方面减小P型区域和N型区域的相对面积，增加电极之间的距离，降低寄生电容，提升激光器的调制带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 集成 谐振腔 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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