[发明专利]一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法在审
| 申请号： | 202011344348.4 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420588A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 裴少帅;苏亚青;吕剑;王浩旭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法，提供设有真空环的所述设备；提供正面设有图案的Taiko片，Taiko片的正面粘有一层保护膜；将Taiko片正面朝上置于真空环的凸起上，使Taiko片背面的外环通过凸起的凹槽被吸附；对Taiko片进行背面减薄；撕去Taiko片正面的保护膜。本发明通过改善真空环的凹槽宽度，使得Taiko片外环与凹槽接触面积增大，从而避免Taiko片被吸附的稳定性，从而提高产品良率，减少设备预警。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 taiko 吸附 稳定性 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
