[发明专利]隔离电容及其制备方法有效
| 申请号： | 202011339470.2 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112420661B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王永 | 申请（专利权）人： | 思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法，所述隔离电容包括衬底、位于电介质层上的P型接触层、位于P型接触层上的第一电极板和第二电极板、位于P型接触层和第一电极板之间的第一介质层、及位于第一电极板和第二电极板之间的第二介质层，所述P型接触层中形成有浅槽隔离区，衬底中形成有隔离介质层，所述浅槽隔离区至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域，所述隔离介质层位于浅槽隔离区下方且至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域。本发明的隔离电容通过去除电极板下方区域的衬底，并用隔离介质进行填充，从根本上消除了电极板至衬底的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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