[发明专利]具有双向SCR结构的ESD保护器件及双向SCR结构

摘要

本发明公开了一种具有双向SCR结构的ESD保护器件及双向SCR结构，具有双向SCR结构的ESD保护器件包括：P型衬底；第一N阱，第一N阱内设有第一N+注入区和第一P+注入区；P阱，P阱内设有第二P+注入区，第二P+注入区的宽度为D用于调整双向SCR结构的维持电压；以及第二N阱，第二N阱内设有第二N+注入区和第三P+注入区；其中，第一N阱、P阱和第二N阱均设在P型衬底内部，第一N阱与第二N阱紧邻P阱，且第一N阱与第二N阱以P阱的中轴线呈轴对称分布。根据本发明的具有双向SCR结构的ESD保护器件,可以使电路的IO端口承受负电压，ESD保护器件的保护能力提升且版图面积小，结构紧凑；同时双向SCR结构去除了一般单向SCR结构需要反向并联二极管的需求。