[发明专利]CIS器件的多晶硅栅形成方法在审
| 申请号： | 202011337069.5 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112420518A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 向超;黄鹏;郭振强 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种CIS器件的多晶硅栅形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成栅氧化层；在栅氧化层表面形成多晶硅层；在多晶硅层表面形成硬掩膜层，硬掩膜层由氮化硅层和低温氧化层组成；通过光刻和刻蚀工艺在硬掩膜层中形成像素区域的栅极图案和逻辑区域的栅极图案；根据像素区域的栅极图案和逻辑区域的栅极图案，刻蚀多晶硅层，形成像素区域的栅极和逻辑区域的栅极；对像素区域的栅极和逻辑区域的栅极进行二次氧化处理；去除栅极表面残余的氮化硅；解决了目前CIS器件制造过程中，多晶硅栅顶部的氧化膜影响后续源漏注入时注入到多晶硅栅中离子剂量的问题；达到了优化多晶硅的注入条件，改善CIS器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | cis 器件 多晶 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
