[发明专利]平面型IGBT结构有效
| 申请号： | 202011330868.X | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112447826B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 吴郁;方明;胡冬青;刘广海;薛云峰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 冯建华;彭涛 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开平面型IGBT结构，包括芯片主体，所述芯片主体上设有多个平行分布的P阱，多个P阱间的步距由芯片主体的中心向边缘由小变大取值设置，且所述多个P阱围绕所述芯片主体的中心。通过对多个平行分布的P阱间的步距进行设置，使得多个P阱在芯片上的分布由中心向边缘由密变疏，该设置使得芯片中心区域的通态压降略高，周围区域的通态压降低，有效改善了芯片的散热性能及芯片上温度分布不均匀而导致的电流分布不均匀的情况，沟道沿(100)晶面的100晶向导电也提高芯片的导电性能。本发明的设计使平面型IGBT具有优异的散热一致性，防止芯片由于温度分布不均，某一点过热而导致烧毁，损毁整个芯片，大大提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 igbt 结构 | ||
【主权项】：
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