[发明专利]一种用于半导体量子计算的应变纯化硅衬底及其形成方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体量子计算的应变纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大、纯化硅的电子迁移率较低的问题。本发明的纯化硅锗衬底包括依次层叠的自然硅支撑衬底、绝缘层、纯化硅锗层和纯化硅层。本发明的形成方法为在基础衬底上外延形成多层硅锗缓冲层和纯化硅锗层，得到施主衬底；提供一自然硅支撑衬底；在施主衬底和/或自然硅支撑衬底上形成至少一层绝缘层；将施主衬底与自然硅支撑衬底键合，去除基础衬底和多层硅锗缓冲层或去除基础衬底、多层硅锗缓冲层和部分纯化硅锗层，得到纯化硅锗衬底；在纯化硅锗衬底上外延形成纯化硅层，得到应变纯化硅衬底。本发明的纯化硅锗衬底及其形成方法可用于半导体量子计算。