[发明专利]一种利用金属诱导半导体氧化物结晶的方法在审
| 申请号： | 202011320326.4 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420520A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王萱;孙中琳;刘尚;刘大铕 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 牛芳 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种利用金属诱导半导体氧化物结晶的方法。采用磁控溅射沉积In、Ga和Zn的原子百分比为1:1:1的α‑IGZO薄膜作为沟道，然后沉积铝为催化层，可以将退火温度降低到400摄氏度及以下，满足了未来柔性底板的限制条件。诱导金属方法成本较低，实施起来比较容易，效果较好。结晶后的氧化镓铟锌晶体管性能较高，多方面参数优于非晶型半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 金属 诱导 半导体 氧化物 结晶 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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