[发明专利]一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法有效
| 申请号： | 202011317620.X | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112467028B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 朱本鹏;薛堪豪;王萌;黄晓弟;李祎 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 胡秋萍;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法，属于超声应用领域。本发明通过压电衬底在两对叉指电极产生的电场作用下，同时激发XY平面内振动、相位相同的两个声表面波，阵列中每个处于初始超高阻态的阻变存储器在两个声表面波于中间区域叠加形成的驻波声场作用下，驻波声场在XY平面拉伸阻变存储器功能层，有利于软介电击穿，“电形成”过程所需平均电压明显降低，提高存储阵列可靠性。处于低阻态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下，对其施加负电压进行复位操作，器件回到高阻态，撤掉超声信号，器件高阻进一步增大，对器件进行正常置位操作，从而显著提高阻变存储器开关比，提高存储容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超声 提升 存储器 可靠性 容量 方法 | ||
【主权项】：
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