[发明专利]一种掩模优化方法、掩模优化系统及电子设备在审
| 申请号: | 202011314970.0 | 申请日: | 2020-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN112506003A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | 黄晔;丁明 | 申请(专利权)人: | 深圳晶源信息技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G03F1/36 |
| 代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 罗芬梅 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福田区福保*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及集成电路掩模设计领域,尤其涉及掩模优化方法、掩模优化系统及电子设备。包括步骤:S1、提供包括至少一个掩模图形的掩模版图,并将掩模版图划分成多个区域块,至少部分区域块中包括至少一个掩模图形;S2、对区域块中每个掩模图形所有的线段分别与其周围的线段执行计算,获得并记录与每条线段对应的特征值;S3、统计所有区域块中的特征值,基于特征值对所述区域块进行分类,基于分类结果选择需要执行优化的区域块定义为执行块,所有执行块之间的掩模图形的线段的特征值存在区别;及S4、对执行块进行优化,并记录优化结果,且基于优化结果对掩模版图进行全局优化,基于上述步骤对掩模版图进行优化能很好的减小运算量,提高优化效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 优化 方法 系统 电子设备 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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