[发明专利]空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片在审
| 申请号: | 202011309305.2 | 申请日: | 2020-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN113707601A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 张文龙;淮赛男;郑亚锐;冯加贵;熊康林;丁孙安 | 申请(专利权)人: | 腾讯科技(深圳)有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本申请公开了一种空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片,涉及电路结构领域。该方法包括:在衬底上沉积符合空气桥形状的桥撑材料;在衬底和桥撑材料上涂敷图形化光刻胶;基于空气桥的开口要求接收在图形化光刻胶上的曝光图形化处理,开口要求用于指示空气桥的桥面上开口的位置要求;在曝光图形化处理后的图形化光刻胶上进行显影处理;在显影处理后的桥撑材料上沉积桥材料,得到具有开口的空气桥。通过在图形化光刻胶上进行图形化曝光处理,从而在桥面上设置贯通桥面的开口结构,而在制备空气桥的过程中,通过该开口结构释放桥撑材料,从开口位置释放刻蚀材料刻蚀桥撑材料,确保桥撑材料的释放完整度,避免在桥洞内部留下桥撑材料的残渣。 | ||
| 搜索关键词: | 空气 制备 方法 结构 超导 量子 芯片 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





