[发明专利]基于范德华外延的垂直腔面发射激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202011304983.X | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112436380B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;李振浩;郝智彪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/30;H01S5/343;H01S5/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于范德华外延的垂直腔面发射激光器及其制作方法，上述制作方法中，制作GaN基有源区结构，包括：在第一衬底上覆盖单层二维材料；在覆盖有单层二维材料的第一衬底上外延生长GaN基有源区结构。GaN基有源区结构自下而上包括：n型GaN层、有源区、电子阻挡层、p型GaN层以及p+GaN层，p+GaN层作为第一欧姆接触层。在第二衬底上形成第一分布式布拉格反射镜结构。将GaN基有源区结构从第一衬底上剥离。将剥离后的GaN基有源区结构与位于第二衬底上的第一分布式布拉格反射镜结构键合。在键合后结构的第一欧姆接触层之上形成第二分布式布拉格反射镜结构。形成了具有低阈值电流密度、高增益的垂直腔面发射激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 范德华 外延 垂直 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011304983.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于大数据的养殖器械销售用推荐系统
- 下一篇：一种中药饮片烘干装置
