[发明专利]一种锆氟碘酸铯二阶非线性光学晶体及其制备与应用

摘要

本发明涉及一种锆氟碘酸铯二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为CsZrF4(IO3)，分子量为475.03，属于正交晶系，其空间群为Ima2，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为本发明的锆氟碘酸铯晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的4.5倍，在波长1064nm的激光下测得其激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料银镓硫的68倍。此外，该晶体材料在紫外‑可见光‑红外光区(0.3～8μm)有很宽的透过范围，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。