[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202011297238.7 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112695380B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 张如意;曹彦伟;宋洋;彭绍勤;毕佳畅 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B23/06;C30B29/22;H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 宁波甬致专利代理有限公司 33228 代理人: 张鸿飞
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材;利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3(LSAT)、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材,以氩气作为溅射气体,直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜;其中,所述溅射方法中,所述基片的温度为750℃‑950℃,所述Ar气的气压为25‑77 Pa;根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s,室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3,室温电导率可达14000 S/cm。
搜索关键词: 一种 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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