[发明专利]半导体工艺设备及其反应腔室和膜层沉积方法

摘要

本发明提供一种半导体工艺设备的反应腔室、半导体工艺设备和膜层沉积方法，其中，反应腔室包括：监测模块、沉积模块以及控制模块；沉积模块用于在一个沉积周期中执行多次沉积步骤，每次沉积步骤均包括：向反应腔室中通入前驱体以及对反应腔室施加射频电场，以在反应腔室中生成等离子体，并通过等离子体在待加工工件上沉积目标膜层；监测模块用于在沉积模块每次执行沉积步骤时，监测反应腔室中等离子体光源的亮度，并根据等离子体光源的亮度，生成第一信号；控制模块用于根据第一信号，判断沉积模块所沉积的目标膜层的厚度是否异常，若是，则发出异常报警信号。本发明有利于改善目标膜层的厚度与目标厚度产生偏差的问题。