[发明专利]两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线有效
| 申请号： | 202011291234.8 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114516658B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 何颂贤;王巍;叶晨宝 | 申请（专利权）人： | 香港城市大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘鑫;姚亮 |
| 地址： | 518057 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线。该方法包括：在双区固相源化学气相沉积系统的源区装载锑化镓、生长区装载催化剂基片；向源区和生长区中通入氢气，并分别加热至第一预设温度；源区的第一预设温度高出生长区的第一预设温度100～260℃；接着向源区和生长区中通入氨气，并分别加热至第二预设温度；源区的第二预设温度高出源区的第一预设温度20～150℃；源区的第二预设温度高出生长区的第二预设温度220～320℃；待源区和生长区达到各自第二预设温度后继续保温反应，然后冷却降温，于生长区得到稀氮化GaNSb纳米线。该方法合成稀氮化GaNSb纳米线具有大纵横比、高密度且表面光滑无岛状寄生。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 生长 氮化 gansb 纳米 | ||
【主权项】：
暂无信息
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