[发明专利]一种GaN晶体管驱动电路在审
| 申请号： | 202011282053.9 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114513201A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈欣璐;黄兴 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京知夏律师事务所 11970 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN晶体管驱动电路。其用于一被驱动GaN晶体管，包括上下管电路和上下管控制电路，所述上下管电路包括上管和下管，所述上管和下管均为GaN晶体管，所述上管的漏极与电源电压VCC相连，栅极与数字输入VIN相连，源极与下管的漏极相连，并作为GaN晶体管驱动电路的输出与被驱动GaN晶体管的栅极相连；下管的栅极与上下管控制电路相连接；该上下管控制电路利用母线电压VD、电源电压VCC以及数字输入VIN，对所述下管进行控制，从而使所述GaN晶体管驱动电路的输出与数字输入VIN同相，所述上下管控制电路包括晶体管，并且所包括的晶体管均为GaN晶体管，在栅极被施加高于阈值电压的电压时导通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 晶体管 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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