[发明专利]硅片的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011281017.0 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112466749A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 朱海云;蒋中伟;王京 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种硅片的刻蚀方法，包括交替执行的以下步骤：主刻蚀步骤：向半导体工艺设备的工艺腔室内通入主刻蚀气体，以对所述硅片进行刻蚀，直至获得具有指定深宽比的沟槽或通孔；辅刻蚀步骤：向所述工艺腔室内通入辅刻蚀气体，以继续对执行了所述主刻蚀步骤的硅片进行刻蚀，所述辅刻蚀气体中至少含有一种能够与硅反应生成不挥发性反应产物的气体，且所述辅刻蚀气体对硅片的刻蚀速率小于所述主刻蚀气体对硅片的刻蚀速率；其中，在不同的主刻蚀步骤中，所述指定深宽比不同。应用本申请，可以解决现有技术中高深宽比的深硅刻蚀容易出现侧壁形貌粗糙、不平整的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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