[发明专利]磁性隧道结器件及方法在审
| 申请号： | 202011267541.2 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN113571633A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 简瑞芬;邱维刚;林灿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中，一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元，该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层，位于底部电极之上；隧道阻挡层，位于基准层之上，隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层，位于隧道阻挡层之上，自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层，位于自由层之上，帽盖层包括镁和氧的第二组合物，镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极，位于帽盖层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 器件 方法 | ||
【主权项】：
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