[发明专利]半导体装置

摘要

涉及半导体装置。与阻断电压相匹配地实现IGBT的导通电压的降低。多个IGBT单元(20)各自具有：n基极层(1)，其形成于半导体层(100)；p基极层(2)，其形成于n基极层的第1主面侧的表层部；n发射极层(3)，其形成于p基极层的表层部；以及p集电极层(4)，其形成于半导体层的第2主面侧的表层部。在半导体层的第1主面之上形成以隔着栅极绝缘膜(7)与n基极层、p基极层及n发射极层相对的方式形成的栅极电极(8)、与p基极层及n发射极层连接的发射极电极(10)。在半导体层的第2主面之上形成与p集电极层连接的集电极电极(11)。多个IGBT单元的间距大于或等于p基极层与p集电极层之间的距离的1/40且小于或等于该距离的1/20。