[发明专利]一种在CSOI上刻蚀悬臂梁的方法在审
| 申请号： | 202011264661.7 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112435922A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;林炳辉;胡博豪;吴志鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 石超群 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体制造工艺，具体涉及一种在CSOI上刻蚀悬臂梁的方法，包括如下步骤：提供一组硅片作为第一绝缘层，在第一绝缘层的表面制作空腔结构；在第一绝缘层表面键合由过渡层和第二绝缘层组成的复合层；在复合层表面依次沉积材料形成结构层；在目标刻蚀区范围内任意地方自上而下刻蚀结构层、第二绝缘层和过渡层形成多个通气孔，使得外界与空腔相连；对原定目标刻蚀区进行图案化刻蚀，最后形成目标结构。本发明的方法通过在CSOI的结构层的目标刻蚀范围内先刻蚀出多个通气小孔消除内部真空腔和外界大气压之间形成的压差，再进行预定刻蚀，从而使得悬臂梁在刻蚀的过程中不会因为内外压差过大而导致局部破坏，提高器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 csoi 刻蚀 悬臂梁 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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