[发明专利]三维铁电存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202011255637.7 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112382633A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 郭美澜 | 申请（专利权）人： | 无锡拍字节科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L27/11514;H01L23/64;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维铁电存储器及其制造方法，该铁电存储器包括存储单元阵列，每个存储单元包括晶体管和与晶体管连接的三维铁电电容，所述铁电电容包括第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的铁电材料层，其中在形成深孔结构沉积完铁电电容后采用刻蚀的方式刻蚀去除深孔结构外的电容结构并在电容层上形成绝缘保护层，通过该方法形成的铁电存储器能够降低制造难度并提高电极之间的绝缘可靠性提高产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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