[发明专利]一种基于图案化衬底的有机场效应晶体管制备方法在审
| 申请号： | 202011254599.3 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112490362A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李世光;刘旭;吴汉勋;高溥婕 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于图案化衬底的有机场效应晶体管制备方法，过程为：取硅片，清洗后，通过光刻胶对硅片进行匀胶；通过掩膜版进行曝光，再通过显影液进行显影，随后进行清洗，坚膜，干燥得到显影样片；配置刻蚀液，将显影样片放置于刻蚀液中，摇晃显影样片，20s后取出片子，冲洗，然后再用氮气枪吹干，得到刻蚀样片；将刻蚀样片置于装有AZ去胶液的试管中，清洗，并烘干，得到硅衬底；将HMDS溶液均匀铺到硅衬底上，并通过真空沉积设备蒸镀并五苯有源层；对蒸镀有并五苯有源层的硅衬底制备源漏电极和栅电极，得到有机场效应晶体管；本发明的制备方法使用图案化衬底制备并五苯多晶薄膜，减少了并五苯的晶界，提高了并五苯迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 图案 衬底 有机 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
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