[发明专利]一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法在审
| 申请号： | 202011253983.1 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114496689A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 高龙哲;李俊杰;李琳;王佳;周娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/244 | 分类号： | H01J37/244;H01J37/32;H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 姚东华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法，属于半导体刻蚀设备领域，解决了现有技术中刻蚀过程中顶环被等离子体蚀刻而引起晶圆边缘电场分布发生改变，从而使等离子体刻蚀方向发生改变造成刻蚀图案改变的问题。本发明公开了一种顶环被被蚀刻量检测系统，包括光学传感器，光学传感器包括发射器和接收器；发射器位于刻蚀区域的一侧，接收器位于刻蚀区域的另一侧；发射器发射检测光，接收器接收发射器发射的检测光；检测光穿过刻蚀区域，通过发射的检测光和接收的检测光的实时差值检测顶环被蚀刻量。实现了对顶环高度的实时检测和调整，确保最佳的工艺条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 顶环被 蚀刻 检测 系统 方法 调整 | ||
【主权项】：
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